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반도체 산화 과정  반도체 산화 과정은 반도체 제조 공정에서 중요한 단계 중 하나로, 산화막을 형성하여 전기적 특성을 조절하고, 소자의 성능을 향상시키는 역할을 합니다. 일반적으로 실리콘(Si) 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 과정이 주로 사용되며, 이 과정은 주로 열산화(thermal oxidation)와 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 방식으로 나뉩니다.화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)은 반도체 제조 공정에서 사용되는 중요한 기술로, 기체 상태의 전구체 물질을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면에 얇은 박막을 형성하는 방법입니다. CVD는 다양한 재료를 증착..

반도체 산화 과정 반도체 산화 과정은 반도체 제조 공정에서 중요한 단계 중 하나로, 산화막을 형성하여 전기적 특성을 조절하고, 소자의 성능을 향상시키는 역할을 합니다. 일반적으로 실리콘(Si) 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 과정이 주로 사용되며, 이 과정은 주로 열산화(thermal oxidation)와 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 방식으로 나뉩니다.열산화열산화(thermal oxidation)는 반도체 제조 공정에서 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막(SiO2)을 형성하는 중요한 과정입니다. 이 산화막은 전기적 절연 특성을 제공하며, MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 소자의 게이트 산화막, 패시베이션 층, 또는 이온 주입 공정에서 마스크 역할..

반도체 웨이퍼 제조 과정 반도체 웨이퍼 제조의 첫 단계는 고순도의 실리콘을 얻는 것입니다. 이 과정은 매우 중요하며 여러 단계로 나뉩니다. 실리콘 정제 과정은 주로 다음과 같습니다.1. 원료 채집- 실리콘의 주 원료는 이산화규소(SiO₂)입니다. 이는 주로 모래나 석영에서 추출됩니다.2. 실리콘 환원- 이산화규소(SiO₂)를 순수한 실리콘으로 변환하기 위해 탄소와 함께 전기로에서 고온으로 가열합니다. 이 과정을 통해 순도 98% 이상의 메탈루르기컬 실리콘(Metallurgical Grade Silicon, MGS)을 얻을 수 있습니다. - 반응식: SiO₂ + 2C → Si + 2CO3. 트라이클로로실란(TCS) 제조- 메탈루르기컬 실리콘을 정제하기 위해 트라이클로로실란(TCS, SiHCl₃)을 생성합니..

반도체 제조 환경반도체는 매우 청정하고 정밀한 환경에서 제작됩니다. 반도체 제조 공정은 미세한 회로 패턴을 형성하는 과정이기 때문에, 공정 환경에 미세한 먼지나 오염물질이 존재하면 제품의 품질과 성능에 큰 영향을 미칠 수 있습니다. 따라서 반도체 제조는 다음과 같은 환경에서 이루어집니다1.클린룸 (Clean Room)- 청정도: 클린룸은 공기 중의 입자 수를 엄격하게 제어하는 공간입니다. 일반적으로 반도체 제조에 사용되는 클린룸은 Class 10에서 Class 1000까지의 청정도를 유지하며, 이는 1입방피트(약 28리터)의 공기 중에 0.5마이크로미터 이상의 입자가 각각 10개에서 1000개 이하로 존재함을 의미합니다.- 압력: 클린룸 내부는 외부보다 약간 높은 압력을 유지하여, 문이 열릴 때 외부의 ..