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반도체 산화 과정 반도체 산화 과정은 반도체 제조 공정에서 중요한 단계 중 하나로, 산화막을 형성하여 전기적 특성을 조절하고, 소자의 성능을 향상시키는 역할을 합니다. 일반적으로 실리콘(Si) 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 과정이 주로 사용되며, 이 과정은 주로 열산화(thermal oxidation)와 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 방식으로 나뉩니다.열산화열산화(thermal oxidation)는 반도체 제조 공정에서 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막(SiO2)을 형성하는 중요한 과정입니다. 이 산화막은 전기적 절연 특성을 제공하며, MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 소자의 게이트 산화막, 패시베이션 층, 또는 이온 주입 공정에서 마스크 역할..