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반도체 산화 과정 반도체 산화 과정은 반도체 제조에서 중요한 단계 중 하나로, 주로 실리콘(Si) 웨이퍼의 표면에 산화막(SiO₂)을 형성하는 것을 의미합니다. 이 산화막은 절연층, 마스크층 및 보호층으로 사용됩니다. 산화 공정은 주로 열 산화(Thermal Oxidation) 방법을 사용하며, 건식 산화(Dry Oxidation)와 습식 산화(Wet Oxidation)로 나뉩니다. 아래에서 각 방법과 공정의 세부 사항을 설명하겠습니다.열 산화 (Thermal Oxidation)열 산화는 고온에서 산화제를 사용하여 실리콘 웨이퍼의 표면을 산화시키는 방법입니다. 산화제는 주로 산소(O₂) 또는 수증기(H₂O)입니다. 건식 산화 (Dry Oxidation)-웨이퍼 준비: 깨끗한 실리콘 웨이퍼를 산화로에 넣습..

반도체 증착 과정반도체 제조 공정에서 증착(deposition)은 반도체 기판 위에 얇은 막을 형성하는 중요한 단계입니다. 증착된 막은 반도체 소자의 전기적, 물리적 특성을 결정짓는 데 중요한 역할을 합니다. 증착 공정은 크게 물리적 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)과 화학적 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)으로 나눌 수 있으며, 각 방법은 다양한 장점과 단점을 가지고 있습니다.물리적 증착 (PVD)반도체 물리적 증착(PVD: Physical Vapor Deposition)은 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 표면에 얇은 막을 형성하기 위해 물리적 방법을 사용하는 기술입니다. PVD는 주로 금속 층을 형성하는 데 사용되며, 반도체 소자의 전기적 특성을 ..