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반도체 산화 과정  반도체 산화 과정은 반도체 제조 공정에서 중요한 단계 중 하나로, 산화막을 형성하여 전기적 특성을 조절하고, 소자의 성능을 향상시키는 역할을 합니다. 일반적으로 실리콘(Si) 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 과정이 주로 사용되며, 이 과정은 주로 열산화(thermal oxidation)와 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 방식으로 나뉩니다.화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)은 반도체 제조 공정에서 사용되는 중요한 기술로, 기체 상태의 전구체 물질을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면에 얇은 박막을 형성하는 방법입니다. CVD는 다양한 재료를 증착..