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반도체 포토리소그래피 반도체 포토리소그래피(Photolithography) 과정은 반도체 제조 공정에서 매우 중요한 역할을 하며, 고도로 정밀한 미세 패턴을 실리콘 웨이퍼 표면에 형성하는 기술입니다. 이 과정은 여러 단계로 나누어져 있으며, 각 단계는 매우 세밀하게 조정되어야 합니다. 여기서는 포토리소그래피 과정을 자세히 설명하겠습니다.1. 웨이퍼 준비 (Wafer Preparation)포토리소그래피 공정의 첫 번째 단계는 실리콘 웨이퍼를 준비하는 것입니다. 이 단계에서는 웨이퍼 표면을 청소하고, 필요한 경우 산화막을 형성합니다. 웨이퍼는 일반적으로 클린룸 환경에서 처리되며, 이는 공기 중의 입자나 오염물이 웨이퍼 표면에 붙지 않도록 하기 위함입니다. 2. 포토레지스트 도포 (Photoresist Coa..

반도체 산화 과정  반도체 산화 과정은 반도체 제조 공정에서 중요한 단계 중 하나로, 산화막을 형성하여 전기적 특성을 조절하고, 소자의 성능을 향상시키는 역할을 합니다. 일반적으로 실리콘(Si) 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 과정이 주로 사용되며, 이 과정은 주로 열산화(thermal oxidation)와 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 방식으로 나뉩니다.화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)은 반도체 제조 공정에서 사용되는 중요한 기술로, 기체 상태의 전구체 물질을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면에 얇은 박막을 형성하는 방법입니다. CVD는 다양한 재료를 증착..

반도체 산화 과정 반도체 산화 과정은 반도체 제조 공정에서 중요한 단계 중 하나로, 산화막을 형성하여 전기적 특성을 조절하고, 소자의 성능을 향상시키는 역할을 합니다. 일반적으로 실리콘(Si) 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 과정이 주로 사용되며, 이 과정은 주로 열산화(thermal oxidation)와 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 방식으로 나뉩니다.열산화열산화(thermal oxidation)는 반도체 제조 공정에서 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막(SiO2)을 형성하는 중요한 과정입니다. 이 산화막은 전기적 절연 특성을 제공하며, MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 소자의 게이트 산화막, 패시베이션 층, 또는 이온 주입 공정에서 마스크 역할..

반도체 웨이퍼 제조 과정 반도체 웨이퍼 제조의 첫 단계는 고순도의 실리콘을 얻는 것입니다. 이 과정은 매우 중요하며 여러 단계로 나뉩니다. 실리콘 정제 과정은 주로 다음과 같습니다.1. 원료 채집- 실리콘의 주 원료는 이산화규소(SiO₂)입니다. 이는 주로 모래나 석영에서 추출됩니다.2. 실리콘 환원- 이산화규소(SiO₂)를 순수한 실리콘으로 변환하기 위해 탄소와 함께 전기로에서 고온으로 가열합니다. 이 과정을 통해 순도 98% 이상의 메탈루르기컬 실리콘(Metallurgical Grade Silicon, MGS)을 얻을 수 있습니다. - 반응식: SiO₂ + 2C → Si + 2CO3. 트라이클로로실란(TCS) 제조- 메탈루르기컬 실리콘을 정제하기 위해 트라이클로로실란(TCS, SiHCl₃)을 생성합니..